Thermal Annealing And Nitrogen Induced Effects On Electronic Transport in n- and p-type Modulation Doped GaInNAs GaAs Quantum Well Structures

DÖNMEZ Ö., SARCAN F., EROL A., Güneş M., ARIKAN M. Ç., Puustinen J., ...Daha Fazla

Novel Gain Materials And Devices Based On III-V-N/Bi Compounds, İstanbul, Türkiye, 24 - 26 Eylül 2013, ss.40

  • Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
  • Basıldığı Şehir: İstanbul
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sayfa Sayıları: ss.40
  • İstanbul Üniversitesi Adresli: Evet